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使用雜質濃度測試儀的方法
點擊次數:629 更新時間:2017-02-22


雜質濃度測試儀

產品應用: KDB-1A

廠品簡單 
方式:可根據硅、鍺單多晶體的變遷率、阻值率和其它雜物氧化還原電位的關聯,可馬上自動測量、算出出多晶體內的其它雜物氧化還原電位。  
適宜超范圍:它適于于衡量橫橫截面積寸尺是可衡量的,且棒的直徑超出橫橫截面積線度的有準則的長棒,舉個例子橫縱剖面為橢圓形、矩形的形、長矩形的或半圓形的多晶硅或多晶錠。  
種類:按照其檢測的沿錠長沉淀物氧化還原電位的數據分布現況影響好產品的達標有些,能夠沉淀物氧化還原電位的隨便檢測的,影響氯化鈉晶體生張流程中的添加個數。  
供試品可在恒溫或溫度低下測量方法。  
提示 的方法:設備聯接PC機,順利通過測評系統軟件估算,用常用對數作標的的方法來提示 不溶物濃度值(含次方數)沿錠長的分布圖線條,可對線條圖做彩印和上傳。  
側量區間: 可測晶胞阻值率:0.005-3000Ω·cm。  
整流字母電阻(zu)值表預估(gu)比率:0-199.99mV,遲(chi)鈍度(du):10μA。 

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